异质结原理与器件

本书简要介绍了异质结的基本概念和基础理论，系统论述了光电子器件的工作原理和模型、异质结构材料及制备工艺方法。全书共14章，内容包括：异质结基本概念、异质结电学特性、异质结能带图、异质结光电特性、异质结制备、位错与弹性应变、宽带隙半导体材料、异质结激光器、超晶格与多量子阱、半导体发光二极管、半导体光检测器、Ⅳ族元素合金应变异质结、半导体太阳能电池和梯度带隙半导体。

这是一本系统论述异质结的基本原理、物理性质、电学特性、光电特性、制备工艺及其在光电子器件中应用的专著。书中首先介绍了异质结的形成与能带结构，解释了异质结的形成过程及其对器件性能的影响。接着，书中深入探讨了异质结电流和电压之间的关系，揭示了异质结在电子学器件中的重要作用。此外，书中还详细讨论了异质结电容和电压之间的关系，为理解和设计异质结器件提供了重要的理论指导。 书中进一步介绍了反型异质结的光伏特性，阐述了光照条件下异质结如何产生光生电流和光伏电压，以及这些特性如何受到异质结材料、结构等因素的影响。此外，书中还详细介绍了晶体结构及其对半导体性能的影响，包括晶格失配的影响因素以及位错的弹性应力场和应变分量等。 在讨论位错的运动机制时，书中深入探讨了位错的分解、组合、攀移和滑移等过程，以及这些过程对晶体性质的影响。此外，书中还详细介绍了宽带隙半导体材料的重要性，包括Ⅲ族氮化物及其器件的应用前景和Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体的分类和性质等。 书中还详细讨论了半导体发光二极管的应用与重要性，包括半导体发光二极管的应用与重要性以及发光辐射跃迁的类型等。此外，书中还介绍了半导体光检测器的基本参数，如